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9 Dioden und Sperrschichten  

 

Dioden sind Halbleiter-Bauelemente, die den Strom nur in einer Richtung leiten. Das gilt für LEDs genauso wie für Silizium-Dioden und Transistoren. Die Untersuchung der internen Dioden in einem Transistor dient zur einfachen Funktionskontrolle und zeigt besondere Einsatzmöglichkeiten des Transistors.

 9.1 Die BE-Diode in Durchlassrichtung


Eine Diode besteht aus zwei Halbleiter-Schichten mit N-leitendem und P-leitendem Material. Im N-Leiter bewegen sich freie Elektronen, im P-Leiter dagegen Defektelektronen (Elektronen-Löcher). An der Berührungsfläche zwischen beiden Schichten bildet sich eine nichtleitende Sperrschicht geringer Dicke. Freie Elektronen füllen in diesem Bereich Löcher, sodass keine freien Ladungsträger mehr vorhanden sind. Die Diode ist damit zunächst ein Nichtleiter.

Abb. 9.1: Aufbau und Funktion einer Diode

Legt man an die äußeren Kontakte der Si-Diode eine kleine Spannung, dann vergrößert oder verkleinert sich die Sperrschicht. Zunächst soll der N-Anschluss mit dem Minuspol und der P-Anschluss mit dem Pluspol verbunden werden. Die Ladungen an den Anschlüssen stoßen dann ihre jeweiligen Ladungsträger im Kristall ab, sodass sie in Richtung der Sperrschicht gedrückt werden. Ab einer Spannung von ca. 0,5 V beginnen sich in einer Siliziumdiode die N- und die P-Schicht zu berühren, die Sperrschicht hebt sich auf. Damit fließt nun auch ein Strom. Bei ca. 0,7 V ist eine gute Leitfähigkeit erreicht. Die Diode wird nun in Durchlassrichtung betrieben.
Polt man die Spannung um, tritt der gegenteilige Effekt auf: Ladungsträger werden zu den äußeren Anschlüssen hingezogen, sodass sich die Sperrschicht vergrößert. Die isolierende Wirkung der Sperrschicht wird also besser. Man kann die Diode als ein elektrisches Ventil auffassen, da sie den Strom nur in einer Richtung passieren lässt. Das gilt in gleicher Weise für eine Leuchtdiode. Das andere Hableitermaterial in der LED führt zu einer höheren Durchlassspannung als bei einer Si-Diode. Beim Rekombinieren von Elektronen und Löchern wird Licht abgegeben.
Der innere Aufbau eines Si-Transistors ist durch drei Schichten aus N- und P- Silizium gekennzeichnet. An den Grenzflächen bilden sich Sperrschichten wie in einer Diode. In einem Transistor befinden sich praktisch zwei Dioden, die man auch als solche verwenden kann. Das ermöglicht besondere Schaltungsvarianten und auch einen einfachen Transistortest.

Abb. 9.2: Sperrschichten und Grundfunktion des Transistors  

Die Verstärkung eines Transistors tritt auf, wenn eine genügend große Basisspannung angelegt wird. Die untere Sperrschicht wird dann leitend, sodass N-Ladungsträger (Elektronen) in die Basiszone gelangen. Sie werden aber von der positiv geladenen Kollektorschicht angezogen, sodass die meisten Elektronen zum Kollektor abfließen und nur ein kleiner Teil zur Basis.
Die internen Dioden eines Transistors lassen sich mit einfachen Prüfschaltungen mit LED und Vorwiderstand ausmessen. Die LED zeigt an, wann Strom fließt. Im ersten Versuch wird die BE-Diode des rechten Transistors in Durchlassrichtung betrieben. Der Kollektor bleibt frei.
 

Abb. 9.3: Test der BE-Diode


Abb. 9.4: Die BE-Diode des rechten Transistors leitet
 
Messung 
Eine Spannungsmessung zwischen den jeweils verwendeten beiden  Anschlüssen des Transistors zeigt etwa bei 0,6 V bis 0,7 V, wenn die entsprechende Diode gerade leitet. Die „Durchlassspannung“ ist also wesentlich kleiner als bei einer LED. Die Spannung hängt vom verwendeten Halbleiter ab. Bei Silizium findet man für kleinere Ströme etwa 0,6 V. In einem großen Bereich unterschiedlicher Ströme ändert sich die Spannung nur zwischen etwa 0, 5 V und 0, 7 V.
 

9.2  Die BC-Diode leitet

Die interne BC-Diode eines NPN-Transistors leitet, wenn man den Kollektor an Minus legt. Das kommt im normalen Betrieb nicht vor, kann aber in besonderen Situationen in einer Schaltung auftreten. Um die Verbindung nach Minus nur mit Jumpern zu erreichen, muss ein Widerstand von 1 kΩ in Reihe geschaltet werden. Die BC-Diode leitet genauso gut wie die BE-Diode.


Abb. 9.5: Test der BC-Diode


Abb. 9.6: Die BC-Diode leitet
 

9.3 Die BC-Diode in Sperrrichtung

Im normalen Betrieb eines NPN-Transistors liegt eine positive Spannung am Kollektor. Die BC-Diode sperrt. Der Versuch kann mit dem linken Transistor leicht aufgebaut werden, wenn man den Emitter frei lässt. Wie erwartet fließt kein Strom, die LED bleibt aus.
 

Abb. 9.7: Die BC-Diode in Sperrrichtung



Abb. 9.8: Die LED bleibt aus
Messungen

Eine Messung des Spannungsabfalls am 10-kΩ-Widerstand zeigt Null. Damit ist klar, dass tatsächlich kein Strom fließt. Eine Messung an der LED zeigt ebenfalls 0 V. Misst man allerding die Spannung zwischen Basis und Kollektor wird nur etwa 8 V gemessen, obwohl die Batteriespannung 9 V beträgt. Die Summe aller Spannungen ist scheinbar kleiner als die Batteriespannung, was aber ein Widerspruch zu den Gesetzen des Stromkreises wäre.
Der Widerspruch klärt sich auf, wenn man bedenkt, dass auch das Messgerät einen Innenwiderstand hat. Ein typisches Digitalmultimeter hat in allen Spannungsbereichen einen Innenwiderstand von 10 MΩ. Bei einer Messung der Batteriespannung fließt also ein Strom von 0,9 µA. Und wenn man die CB-Spannung misst, fließt ein kleiner Strom über die LED und verursacht einen Spannungsabfall. Obwohl der Messstrom sehr klein ist, beträgt die LED-Spannung bereits 1 V oder mehr. Die Messung selbst verändert also in diesem Fall die Messergebnisse. Das ist fast immer der Fall, in den meisten Fällen ist der Unterschied jedoch vernachlässigbar klein.
 

9.4 Die BE-Diode in Sperrrichtung

Wenn der Emitter eines NPN-Transistors an eine positivere Spannung als die Basis gelegt wird, sperrt die BE-Diode. Allerdings gilt das nur bis zu einer gewissen Spannung. Im Datenblatt des Transistors wird eine maximale Sperrspannung von 5 V angegeben. Bei einer höheren Spannung im Bereich 7 V bis 9 V beginnt plötzlich ein Strom zu fließen. Die BE-Diode verhält sich dann wie eine Zenerdiode. Die typische Durchbruchspannung liegt bei 8 V. es gibt jedoch erhebliche Streuungen, sodass man nicht mit Sicherheit vorhersagen kann, ob die LED gerade noch schwach leuchtet oder nicht.
Jede Diode hat eine Durchbruchspannung, bei der sich die Sperrschicht nicht weiter ausdehnen kann der Sperrstrom stark ansteigt. Der Aufbau des Transistors bildet zwar zwei PN-Übergänge, hat aber eine Unsymmetrie mit einer besonders dünnen Emitterschicht. Die Größe der Sperrzone ist daher begrenzt und damit auch die Sperrspannung.


Abb. 9.9: Die BE-Diode in Sperrrichtung



Abb. 9.10: Anzeige eines Sperrstroms
Messungen
Falls die LED schon deutlich leuchtet, kann man die Zenerspannung mit dem Multimeter direkt zwischen B und E messen. Falls die LED noch aus ist, lässt sich besser der Spannungsabfall an der LED messen. Findet man hier 1 V und misst die Batteriespannung mit 9 V, kann man die Durchbruchspannung mit 8 V berechnen. Die Zenerspannung ist großen Streuungen unterworfen und kann bei einigen Transistoren bis zu 9 V betragen. Das Ergebnis ist daher nicht vorhersagbar.
 
 

9.5 Batterieprüfer

Wenn eine 9-V-Batterie nur noch 7 V hat, ist sie bereits fast völlig erschöpft. Aber eine einfache LED-Schaltung zeigt noch keinen großen Unterschied. Bei dieser Schaltung ist das anders. Die rote LED ist bei einer ganz neuen Batterie noch hell, aber bei 7 V schon ganz aus.
Die Schaltung verwendet die gerade gefundene besondere Eigenschaft eines Transistors. Die BE-Diode verhält sich in Durchlassrichtung wie eine normale Si-Diode und wie die BC-Diode des Transistors. Aber in Durchlassrichtung sperrt sie nur bis zu einer Spannung im Bereich 7 V bis 9 V. Dann beginnt sie zu leiten, wobei der Strom mit steigender Spannung steil ansteigt. Das ist das Verhalten einer Zenerdiode. Hier führt es dazu, dass die LED-Helligkeit sich in einem engen Bereich der Batteriespannung von ganz aus bis deutlich an verändert.
 

Abb. 9.11: Eine Spannungsüberwachung


Abb. 9.12: Anzeige des Batteriezustands

Bei dieser Schaltung ist die BC-Strecke des Transistors kurzgeschlossen. Deshalb wirkt im invertierten Betrieb nur noch die BE-Diode in Sperrrichtung.
 
Messung
Mit dem Voltmeter kann man die Z-Spannung direkt zwischen B und E messen. Typische Spannungen liegen bei 7,5 V, aber es kann auch erhebliche Abweichungen geben.  Wegen der großen Streuungen kann man nicht vorhersagen, welche Batteriespannung noch als gut angezeigt wird. Man kann versuchsweise eine oder zwei 1,5-V-Zellen in Reihe zur Batterie schalten um eine höhere Spannung zu testen. 
Mit einer kleinen Änderung der Schaltung arbeitet nicht nur die Zenerdiode, sondern auch der Transistor in invertierter Richtung mit dem Minuspol am Kollektor. Der invertierte Transistor hat nur noch eine geringe Stromverstärkung von ungefähr 5-fach. Zur Zenerspannung kommt nun noch eine Diodenspannung in Durchlassrichtung. Gleichzeitig wird allerdings die Durchbruchspannung etwas kleiner, weil weniger Strom fließt. Beide Effekte können sich gerade aufheben. Im Normalfall wird sich jedoch eine geringe Verschiebung der Anzeigeschwelle ergeben.
 

Abb. 9.13: Aufbau mit einem invertierten Transistor



Abb. 9.14: Der veränderte Batterietester
 

9.6 Transistor invertiert

Der symmetrische Aufbau führt zu der Vermutung, dass der Transistor auch falsch herum, also mit vertauschtem Emitter und Kollektor funktioniert. Aus den bisherigen Versuchen ist schon bekannt, dass das nur bis zu einer gewissen Spannung funktionieren kann.
Der Versuch verwendet den linken Transistor zusammen mit der roten LED. Wenn man den Basisstrom über den 27-kΩ-Widerstand einschaltet, leuchtet die LED. Öffnet man die Verbindung über den rechten Kondensator, nimmt der Strom allmählich ab. Das Verhalten ähnelt also einem normal betriebenen Transistor.  Allerdings geht die LED schneller aus als in einer vergleichbaren Schaltung mit einem richtig herum betriebenen Transistor. Das ist ein erster Hinweis darauf, dass der invertierte Transistor eine deutlich geringere Stromverstärkung hat.
Normalerweise vermeidet man es, einen Transistor mit falscher Polung zu betreiben. Dass es aber prinzipiell funktioniert zeigt schon der innere Aufbau eines Transistors. Und die Versuche können bei der Fehlersuche in Schaltungen nützlich werden. Wenn nämlich eine Schaltung schlechter funktioniert als gewünscht, kann ein falsch eingebauter Transistor nicht ausgeschlossen werden.

Abb. 9.15: Emitter und Kollektor vertauscht



Abb. 9.16: Der linke Transistor bei umgekehrter Polung

Messen
CB-Spannung: 0,64 V
CE-Restspannung: 1,1 V
Spannungsabfall am Basiswiderstand 27 kΩ: 6,3 V
Basisstrom: 0,23 mA
Spannungsabfall am Kollektorwiderstand 1 kΩ: 2,0 V
Kollektorstrom: 2 mA
Stromverstärkung: 2 mA / 0,23 mA = 8,7-fach
 
Noch deutlicher wird die geringere Stromverstärkung wenn man einen großen Basiswiderstand einsetzt. Die LED leuchtet dann deutlich schwächer als bei einem vergleichbaren Versuch mit korrekter Polung, der Transistor befindet sich noch nicht in der Sättigung.  
 
 

Abb. 9.17: Mehr Basiswiderstand


Abb. 9.18: Ein Versuch mit weniger Kollektorstrom
 
Messung
CB-Spannung: 0,57 V
CE-Restspannung: 6,6 V
Spannungsabfall am Basiswiderstand 330 kΩ: 8,3 V
Basisstrom: 0,025 mA
Spannungsabfall am Kollektorwiderstand 1 kΩ: 0,3 V
Kollektorstrom: 0,3 mA
Stromverstärkung: 0,3 mA / 0,025 mA = 12-fach
   

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